IXYS GigaMOS Trench HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 360 A 830 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Breite
- 25.07mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 360 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 2,6 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 360 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = GigaMOS Trench HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 2,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 830 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070706
