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IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 36 A 700 W, 4-Pin SOT-227

Marke: IXYS

Hersteller Artikel-Nr.: IXFN36N100

Produkt-Nr.: P-CCZ3S3

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
36 A
Drain-Source-Spannung max.
1000 V
Drain-Source-Widerstand max.
240 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
380 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
5V
Gate-Source Spannung max.
-20 V, +20 V
Montage-Typ
Schraubmontage

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 240 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 380 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™

Produktangebot

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059041195195