IXYS HiperFET N-Kanal, Schraub MOSFET 1000 V / 24 A 568 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 25.42mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 24 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 390 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- Schraubmontage
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 24 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 390 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 568 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.42mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™
Produktangebot
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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041484824
