IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 150 V / 150 A 680 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 150 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 150 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 11 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 240 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 150 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 11 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 680 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 240 nC @ 10 Vmm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
23,07 €
27,45 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041202336
