IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, Schraub MOSFET 200 V / 115 A 680 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 115 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 18 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
- Montage-Typ
- Schraubmontage
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 115 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 18 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 680 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
21,66 €
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041982610
