IXYS Polar HiPerFET N-Kanal, Schraub MOSFET 100 V / 200 A 680 W, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Breite
- 25.07mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 200 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 7,5 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 200 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = Polar HiPerFET
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 7,5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 680 W
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 25.07mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041070690
