IXYS HiperFET, Polar3 N-Kanal, Schraub MOSFET 500 V / 112 A 1,5 kW, 4-Pin SOT-227
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 112 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 39 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SOT-227
- Höhe
- 9.6mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 112 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = SOT-227
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 1,5 kW
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 9.6mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar3™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs der Serie IXYS Polar3™ mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
Produktangebot
34,43 €
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041489010
