IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 62 A 350 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 62 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 150 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 40 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 70 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220
- Höhe
- 9.15mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 62 A
Drain-Source-Spannung max. = 150 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 350 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 70 nC @ 10 Vmm
Höhe = 9.15mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041202350
