IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 550 A 830 W, 24-Pin SMPD
Technische Daten
- Breite
- 23.25mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 550 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 55 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,3 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.8V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 5.7mm
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 550 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Serie = GigaMOS, HiperFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.8V
Verlustleistung max. = 830 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Breite = 23.25mm
Höhe = 5.7mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041739504
