IXYS HiperFET N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 48 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- –55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 48 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 100 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 270 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 48 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Serie = HiperFET
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 270 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = –55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS-Serie HiperFET™
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041995665
