IXYS GigaMOS, HiperFET N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 132 A 570 W, 24-Pin SMPD
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 132 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 13 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- SMPD
- Höhe
- 5.7mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 132 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SMPD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Drain-Source-Widerstand max. = 13 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 570 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 5.7mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041752763
