IXYS HiperFET, Q-Class N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 27 A 500 W, 3-Pin TO-264AA
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 27 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 320 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-264AA
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 27 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Gehäusegröße = TO-264AA
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 320 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Verlustleistung max. = 500 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Q. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
Produktangebot
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041982979
