IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 44 A 650 W, 3-Pin TO-247AD
Technische Daten
- Breite
- 5.3mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 44 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 140 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AD
- Höhe
- 21.46mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 44 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AD
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 140 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 650 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.3mm
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041226295
