IXYS HiperFET, Polar N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 10 A 300 W, 3-Pin TO-220
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Breite
- 4.83mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 10 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 800 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,1 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 10 A
Drain-Source-Spannung max. = 800 V
Serie = HiperFET, Polar
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,1 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.5V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.83mm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie Polar™. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs mit Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) von IXYS
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041204774
