IXYS Linear N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 22 A 700 W, 3-Pin TO-264
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 22 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 600 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 270 nC @ 15 Vmm
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Serie = Linear
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 600 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 700 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 270 nC @ 15 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.
Produktangebot
36,42 €
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045875246
