IXYS Linear N-Kanal, THT MOSFET 1000 V / 12 A 400 W, 3-Pin TO-247
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 12 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1000 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,3 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Höhe
- 21.46mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 1000 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 400 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Höhe = 21.46mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS Serie Linear. N-Kanal-Leistungs-MOSFETs speziell für den linearen Betrieb. Diese Geräte verfügen über einen erweiterten Betriebsbereich in Durchlassrichtung (FBSOA) für erhöhte Robustheit und Zuverlässigkeit.
Produktangebot
17,99 €
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059045875543
