STMicroelectronics SCT N-Kanal, THT MOSFET-Modul 1200 V / 12 A, 3-Pin HiP247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 12 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SCT
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,58 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 3.5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität