STMicroelectronics SCT N-Kanal, SMD MOSFET-Modul 650 V / 98 A, 7-Pin H2PAK-7
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Depletion
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 98 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,02 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 7
- Serie
- SCT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 98 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = SCT
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 0,02 Ω
Channel-Modus = Depletion
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics-MOSFET für Siliziumkarbidleistung in Kfz-Qualität wurde mit der Advanced und innovativen SiC MOSFET-Technologie der 2. Generation von ST entwickelt. Das Gerät zeichnet sich durch einen bemerkenswert niedrigen Betriebswiderstand pro Gerätebereich und eine sehr gute Schaltleistung aus.Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
