STMicroelectronics SCT1000N170 N-Kanal, THT MOSFET 1700 V / 7 A, 3-Pin Hip247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 7 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Serie = SCT1000N170
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,66 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.9V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

SiC MOSFETDer STMicroelectronics Siliziumkarbid Leistungs-MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Dies führt zu einem unübertroffenen Widerstand im eingeschalteten Zustand pro Gerätebereich und einer sehr guten Schaltleistung, die nahezu unabhängig von der Temperatur ist. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften des SiC-Materials in Kombination mit dem Gehäuse des Geräts im proprietären HiP247-Gehäuse ermöglichen es Entwicklern, einen Industriestandard-Umriss mit deutlich verbesserter Wärmekapazität zu verwenden.Hohe Schaltleistung Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Geringe Kapazitäten