STMicroelectronics SiC MOSFET N-Kanal, SMD MOSFET 1200 V / 20 A, 3-Pin H2PAK-2
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,203 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 239V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 3
- Serie
- SiC MOSFET
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = SiC MOSFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,203 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 239V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Der STMicroelectronics Siliziumkarbid Power MOSFET wird unter Ausnutzung der Advanced, innovativen Eigenschaften von Materialien mit großem Bandspalt hergestellt. Das SiC-Material hat hervorragende thermische Eigenschaften.Sehr enge Variation des Einschaltwiderstands vs Temperatur Sehr hohe Betriebstemperatur der Schaltstelle Sehr schnelle und robuste intrinsische Gehäusediode Niedrige Kapazität
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
