Wolfspeed N-KanalDual, Schraub MOSFET 1200 V / –40 A 1,66 kW, 7-Pin Halbbrücke

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = –40 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = Halbbrücke
Montage-Typ = Schraubmontage
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 9,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 1,66 kW
Transistor-Konfiguration = Serie
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Transistor-Werkstoff = SiCmm
Diodendurchschlagsspannung = 2.5V

Leistungs-MOSFET-Module aus Siliziumkarbid, Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFET-Module von Wolfspeed, der Power Division von Cree Inc. Diese SiC-MOSFET-Module sind in industriellen Standardgehäusen untergebracht und sind erhältlich in den Formaten Halb-Brücke (2-MOSFETs) und 3-phasig (6 MOSFETs); sie umfassen auch SiC-Sperrverzögerungsstromdioden. Typische Anwendungen umfassen Induktionsheizung, Solar- und Windenergiewechselrichter, DC/DC-Wandler, 3-phasige PFC, Leitungsregenerierungsantriebe, UPS und SMPS, Motorantriebe und Batterieladegeräte. MOSFET-Ausschaltendstrom und Diodensperrverzögerungsstrom sind effektiv Null. Ultraniedriger Verlust bei Hochfrequenzbetrieb Einfache Parallelschaltung aufgrund SiC-Eigenschaften Normalerweise Aus, ausfallsicherer Betrieb Kupfergrundplatte und Aluminiumnitridisolator reduzieren die thermischen Anforderungen