Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 36 A 125 W, 3-Pin TO-247

Name: Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 36 A 125 W, 3-Pin TO-247
Brand: Wolfspeed

Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: C3M0065090D

Produkt-Nr.: P-CDB88R

Technische Daten

Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 36 A
Drain-Source-Spannung max.: 900 V
Drain-Source-Widerstand max.: 78 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V
Gate-Schwellenspannung min.: 1.8V
Gate-Source Spannung max.: –8 V, +18 V
Gehäusegröße: TO-247
Höhe: 5.21mm

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 36 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –8 V, +18 V
Transistor-Werkstoff = SiCmm
Höhe = 5.21mm

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb