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Wolfspeed N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 90 A 463 W, 3-Pin TO-247

Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: C2M0025120D

Produkt-Nr.: P-CDDN2H

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
–55 °CV
Breite
21.1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
90 A
Drain-Source-Spannung max.
1200 V
Drain-Source-Widerstand max.
34 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
+25 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 90 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 34 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 463 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +25 V
Breite = 21.1mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb

Produktangebot

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045449638