Wolfspeed N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)

Name: Wolfspeed N-Kanal, SMD MOSFET 900 V / 35 A 113 W, 7-Pin D2PAK (TO-263)
Brand: Wolfspeed

Marke: Wolfspeed

Hersteller Artikel-Nr.: C3M0065090J

Produkt-Nr.: P-CDDN2K

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: –55 °CV
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 35 A
Drain-Source-Spannung max.: 900 V
Drain-Source-Widerstand max.: 78 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.: 2.1V
Gate-Schwellenspannung min.: 1.8V
Gate-Source Spannung max.: +25 V
Gehäusegröße: D2PAK (TO-263)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 35 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 78 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2.1V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.8V
Verlustleistung max. = 113 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = +25 V
Transistor-Werkstoff = SiCmm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb