Vishay N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 17 A 3,1 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRL640SPBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 17 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 180 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 66 nC @ 5 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1V
- Gate-Source Spannung max.
- -10 V, +10 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 180 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 3,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 66 nC @ 5 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040928381