Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 3,3 A 36 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRF610PBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 3,3 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,5 Ω
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 8,2 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220AB
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220AB
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 36 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 8,2 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
Produktangebot
0,76 €
0,90 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040686250