Vishay N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 5,9 A 35 W, 3-Pin TO-220FP
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFI630GPBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 5,9 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 400 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 43 nC @ 10 V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Gehäusegröße
- TO-220FP
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,9 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Gehäusegröße = TO-220FP
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 400 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 35 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 43 nC @ 10 V
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040937161