ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 70 A 262 W, 4-Pin TO-247-4

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 70 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 39 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 262 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 22 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1

SCT3030AR ist ein SiC MOSFET mit Trenchgate-Struktur, ideal für Servernetzteile, Solarwechselrichter und Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Ein 4-poliges Gehäuse, das die Terminal für Stromquelle und Terminal für Treiberquelle trennt, verbessert die Hochgeschwindigkeitsschaltleistung.Geringer Widerstand im eingeschalteten Zustand Schnelle Schaltgeschwindigkeit Schnelle Rückwärtswiederherstellung Einfach zu parallel Einfach anzutreiben Bleifreie Leitungsbeschichtung Hocheffizientes 4-poliges Gehäuse Evaluierungsplatine ″P02SCT3040KR-EVK-001″ Anwendung Solarwechselrichter DC/DC-Wandler Getaktete Netzteile Induktionsheizung Motorantriebe