ROHM N-Kanal, THT MOSFET 1200 V / 22 A, 3-Pin TO-247N
Marke: ROHM
Hersteller Artikel-Nr.: SCT2160KEHRC11
Produkt-Nr.: P-CC5MKT
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 22 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 0,16 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gehäusegröße
- TO-247N
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
- Transistor-Werkstoff
- SiC
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 22 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 0,16 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Transistor-Werkstoff = SiC
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
