ROHM N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 21 A 103 W, 3-Pin TO-247N
Marke: ROHM
Hersteller Artikel-Nr.: SCT3120ALGC11
Produkt-Nr.: P-CGLV7J
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 21 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 158,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5.6V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.7V
- Gate-Source Spannung max.
- 22 V
- Gehäusegröße
- TO-247N
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 21 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247N
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 158,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5.6V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.7V
Verlustleistung max. = 103 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = 22 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 21mm
Geringer Einschaltwiderstand, schnelle Schaltgeschwindigkeit, schnelle Rückwärtswiederherstellung. Einfach zu parallelisieren, einfach zu anzutreiben, bleifrei beschichtet, RoHS-konform
Produktangebot
5,83 €
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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043627861
