onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)

Name: onsemi N-Kanal, THT MOSFET 50 V / 14 A 48 W, 3-Pin IPAK (TO-251)
Brand: onsemi

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: RFD14N05L

Produkt-Nr.: P-CC6S3M

Technische Daten

Betriebstemperatur min.: -55 °Cmm
Channel-Modus: Enhancement
Channel-Typ: N
Dauer-Drainstrom max.: 14 A
Drain-Source-Spannung max.: 50 V
Drain-Source-Widerstand max.: 100 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs: 25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung min.: 1V
Gate-Source Spannung max.: -10 V, +10 V
Gehäusegröße: IPAK (TO-251)

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 14 A
Drain-Source-Spannung max. = 50 V
Gehäusegröße = IPAK (TO-251)
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 100 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 48 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 25 nC @ 5 V, 40 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal-MOSFET, Anreicherungstyp, Fairchild Semiconductor. Feldeffekttransistoren im Erweiterungsmodus (FET) werden mit der proprietären DMOS-Technologie von Fairchild mit hoher Zelldichte hergestellt. Dieser hohe Verdichtungsprozess wurde für eine Minimierung des Durchlasswiderstands und die Bereitstellung robuster und zuverlässiger Leistung sowie schneller Schaltvorgänge konzipiert.