onsemi PowerTrench N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 214 A 333 W, 3-Pin TO-220AB
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FDP036N10A
Produkt-Nr.: P-CC65H7
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 214 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,6 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 89 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 214 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = PowerTrench
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 333 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 89 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
PowerTrench® N-Kanal-MOSFET, über 60 A, Fairchild Semiconductor
Produktangebot
4,29 €
5,11 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu
Weitere Angebote
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042810301
