onsemi PowerTrench N-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 50 A 260 W, 3-Pin D2PAK (TO-263)
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FDB2710
Produkt-Nr.: P-CC4KGY
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 50 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 250 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 42 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 78 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- D2PAK (TO-263)
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 50 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 42 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 260 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 78 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, 20 A bis 59,9 A, Fairchild Semiconductor
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042918434
