Vishay N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11 A 180 W, 3-Pin TO-247AC
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: IRFPC50APBF
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -55 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 580 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 580 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 180 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm
N-Kanal MOSFET, 600 V bis 1000 V, Vishay Semiconductor
Produktangebot
4,28 €
5,09 € inkl. MwSt. zzgl. Versandkosten
Lieferzeit ca. 1 TageZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040894419