Vishay N-Kanal, THT MOSFET 500 V / 30 A 390 W, 3-Pin TO-247AC
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SiHG32N50D-GE3
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 30 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 500 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 150 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Gehäusegröße
- TO-247AC
- Höhe
- 20.82mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 500 V
Gehäusegröße = TO-247AC
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 150 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 390 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Höhe = 20.82mm
N-Kanal MOSFET, 500 V, Vishay Semiconductor
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040677265