Vishay EF Series N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 33 A 278 W, 3-Pin TO-247AC
Marke: Vishay
Hersteller Artikel-Nr.: SiHG33N60EF-GE3
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- –55 °CV
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 33 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 98 mΩ
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 3
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 33 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = EF Series
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 98 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 278 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Simm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV
N-Kanal-MOSFET mit Fast Diode, EF-Serie, Vishay Semiconductor. Geringere Umkehr-Wiederherstellungszeit, Umkehr-Erholungsladung und Sperrverzögerungsstrom Niedriger Gütefaktor (FOM) Niedrige Eingangskapazität (Ciss) Erhöhte Widerstandsfähigkeit aufgrund der geringen Umkehr-Erholungsladungen Ultraniedrige Gatterladung (Qg)
Produktangebot
3,81 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059040641365