Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 900 V / 9 A 250 W, 3-Pin TO-3PN
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK9J90E
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 9 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 900 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 1,3 Ω
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Höhe
- 20mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 9 A
Drain-Source-Spannung max. = 900 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 1,3 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 250 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20mm
MOSFET-N-Kanal, TK8- und TK9-Serie, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041150804