Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 11,5 A 110 W, 3-Pin TO-3PN
Technische Daten
- Breite
- 4.5mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 11,5 A
- Diodendurchschlagsspannung
- 1.7V
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 300 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 3.7V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 11,5 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 300 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 3.7V
Verlustleistung max. = 110 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 4.5mm
Diodendurchschlagsspannung = 1.7V
MOSFET N-Kanal, Serie TK1x, Toshiba
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041610162
