Toshiba TK N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 207 A 255 W, 3-Pin TO-220
Marke: Toshiba
Hersteller Artikel-Nr.: TK100E10N1
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 207 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 100 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 3,4 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 15.1mm
- Montage-Typ
- THT
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 207 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Serie = TK
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 3,4 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Verlustleistung max. = 255 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 15.1mm
MOSFET N-Kanal, Serie TK100, Toshiba
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059041667937