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STMicroelectronics N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 72 A 446 W, 3-Pin TO-247

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STWA75N60M6

Technische Daten

Breite
5.1mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
72 A
Drain-Source-Spannung max.
600 V
Drain-Source-Widerstand max.
36 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
4.75V
Gate-Schwellenspannung min.
3.25V
Gate-Source Spannung max.
±25 V
Gehäusegröße
TO-247

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 72 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.75V
Gate-Schwellenspannung min. = 3.25V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±25 V
Breite = 5.1mm
Höhe = 21.1mm

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET