STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 45 A 417 W, 3-Pin TO-247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STW45NM60
Technische Daten
- Betriebstemperatur min.
- -65 °Cmm
- Breite
- 5.15mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 45 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 600 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 110 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- -30 V, +30 V
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 45 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 110 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 417 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Breite = 5.15mm
Betriebstemperatur min. = -65 °Cmm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042010114