STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 138 A 625 W, 3-Pin Max247
Marke: STMICROELECTRONICS
Hersteller Artikel-Nr.: STY145N65M5
Technische Daten
- Anzahl der Elemente pro Chip
- 1mm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 138 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 15 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 3V
- Gate-Source Spannung max.
- –25 V, +25 V
- Höhe
- 20.3mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 138 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 15 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 625 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –25 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1mm
Höhe = 20.3mm
N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042543100