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STMicroelectronics MDmesh N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17 A 125 W, 3-Pin TO-220

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Marke: STMICROELECTRONICS

Hersteller Artikel-Nr.: STP24NM60N

Technische Daten

Betriebstemperatur min.
-55 °Cmm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
17 A
Drain-Source-Spannung max.
650 V
Drain-Source-Widerstand max.
190 mΩ
Gate-Ladung typ. @ Vgs
46 nC @ 10 Vmm
Gate-Schwellenspannung max.
4V
Gate-Schwellenspannung min.
2V
Gate-Source Spannung max.
-30 V, +30 V

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 17 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Serie = MDmesh
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 190 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 46 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

N-Kanal MDmesh™, 600 V/650 V, STMicroelectronics

Produktangebot

2,65 €

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059042887419