ROHM BSM N-Kanal Dual, SMD SiC-Leistungsmodul 1200 V / 120 A 935 W, 4-Pin C
Marke: ROHM
Hersteller Artikel-Nr.: BSM120D12P2C005
Produkt-Nr.: P-CC22PW
Technische Daten
- Betriebstemperatur max.
- +150 °Cmm
- Betriebstemperatur min.
- –40 °Cmm
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 120 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 1200 V
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 1.6V
- Montage-Typ
- SMD
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 120 A
Drain-Source-Spannung max. = 1200 V
Serie = BSM
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 4
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 1.6V
Verlustleistung max. = 935 W
Betriebstemperatur max. = +150 °Cmm
Betriebstemperatur min. = –40 °Cmm
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059043509396
