onsemi UltraFET N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 20 A 78 W, 8-Pin PQFN8
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FDMS2672
Produkt-Nr.: P-CDCW35
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 20 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 200 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 156 mΩ
- Gate-Ladung typ. @ Vgs
- 30 nC @ 10 Vmm
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2V
- Gate-Source Spannung max.
- -20 V, +20 V
- Höhe
- 0.75mm
- Montage-Typ
- SMD
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 20 A
Drain-Source-Spannung max. = 200 V
Serie = UltraFET
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 156 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 30 nC @ 10 Vmm
Höhe = 0.75mm
MOSFET UltraFET®, Fairchild Semiconductor. UltraFET® Trench-MOSFETs kombinieren Eigenschaften, die eine richtungsweisende Effizienz in der Leistungsumwandlung ermöglichen. Das Gerät hält im Stoßentladungsmodus einer hohen Energielast stand, und die Diode zeichnet sich durch eine sehr niedrige Umkehr-Erholzeit und gespeicherte Ladung aus. Optimiert für Effizienz bei hohen Frequenzen, niedrigste RDS(ein), niedriger ESR und niedrige Gesamt- und Miller-Gate-Ladung. Anwendungen: DC/DC-Hochfrequenzwandler , Schaltregler, Motorantriebe, Niedrigspannungs-Busschalter und Stromüberwachung.
Produktangebot
2,72 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042878646