onsemi SupreMOS N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 25 A 216 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 25 A
Drain-Source-Spannung max. = 600 V
Serie = SupreMOS
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 126 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 216 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 57 nC @ 10 Vmm
Betriebstemperatur min. = -55 °Cmm

MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor. Fairchild bringt eine neue Generation von 600 V Super-Junction-MOSFETs hervor: SupreMOS®. Die Kombination aus ihrer niedrigen RDS(ein) und Gesamt-Gatter-Ladung ergibt eine im Vergleich zu den 600 V SuperFET™-MOSFETs von Fairchild um 40 Prozent geringere Leistungszahl. Zusätzlich bietet die SupreMOS-Familie eine niedrige Gatterladung für die gleiche RDS(ein) und sorgt so für eine ausgezeichnete Schaltleistung und einen um 20 Prozent geringeren Schalt- und Leitungsverlust, was zu einer höheren Effizienz führt. Durch diese Funktionen können Netzteile den Anforderungen der ENERGY STAR® 80 PLUS Gold-Klassifizierung für Desktop-PCs und der Platin-Klassifizierung für Server entsprechen.