onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 65 A 446 W, 3-Pin TO-247

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 65 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 40 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Gate-Schwellenspannung min. = 3V
Verlustleistung max. = 446 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Breite = 4.82mm
Betriebstemperatur min. = –55 °CV

SUPERFET III MOSFET ist die brandneue Hochspannungs-Super-Junction (SJ)-MOSFET-Familie von ON Semiconductor, die Ladungsausgleich-Technologie für einen herausragend geringen Einschaltwiderstand und eine geringere Gate-Ladeleistung nutzt. Diese fortschrittliche Technologie ist darauf ausgelegt, Leitungsverluste zu minimieren, überlegene Schaltleistung zu bieten und beständig gegen extreme dv/dt-Rate zu sein. SuperFET III MOSFET eignet sich daher sehr gut für die verschiedenen Stromversorgungssysteme zur Miniaturisierung und höheren Effizienz. SuperFET III FRFET MOSFETs optimierte Reverse Recovery Performance der Karosseriediode kann zusätzliche Komponente entfernen und die Systemzuverlässigkeit verbessern700 V bei TJ = 150 °C Extrem niedrige Gatterladung (Typ. QG = 158 nC) Geringe effektive Ausgangskapazität (Typ. COSS(eff.) = 1366 pF) PPAP-fähig Typ. RDS(ein) = 32 mΩ Höhere Systemzuverlässigkeit bei Betrieb bei niedriger Temperatur Geringere Schaltverluste PPAP-fähig Anwendungen HV DC/DC Wandler Endprodukte Integriertes Ladegerät DC/DC-Wandler