onsemi N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 75 A 595 W, 4-Pin TO-247-4
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FCH023N65S3L4
Produkt-Nr.: P-CDB4HF
Technische Daten
- Channel-Modus
- Enhancement
- Channel-Typ
- N
- Dauer-Drainstrom max.
- 75 A
- Drain-Source-Spannung max.
- 650 V
- Drain-Source-Widerstand max.
- 23 mΩ
- Gate-Schwellenspannung max.
- 4.5V
- Gate-Schwellenspannung min.
- 2.5V
- Gate-Source Spannung max.
- ±30 V
- Gehäusegröße
- TO-247-4
- Höhe
- 22.74mm
Produktbeschreibung
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 75 A
Drain-Source-Spannung max. = 650 V
Gehäusegröße = TO-247-4
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 4
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4.5V
Gate-Schwellenspannung min. = 2.5V
Verlustleistung max. = 595 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = ±30 V
Länge = 15.8mm
Höhe = 22.74mm
Produktangebot
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Nicht vorrätigZustand: Neu
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- MOSFET
- GTIN
- 5059042531749
