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onsemi N-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 540 mA 250 mW, 6-Pin SOT-563

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: NTZD3154NT1G

Produkt-Nr.: P-CGRG2G

Technische Daten

Breite
1.3mm
Channel-Modus
Enhancement
Channel-Typ
N
Dauer-Drainstrom max.
540 mA
Drain-Source-Spannung max.
20 V
Drain-Source-Widerstand max.
900 mΩ
Gate-Schwellenspannung max.
1V
Gate-Schwellenspannung min.
0.45V
Gate-Source Spannung max.
±7 V
Gehäusegröße
SOT-563

Produktbeschreibung

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 540 mA
Drain-Source-Spannung max. = 20 V
Gehäusegröße = SOT-563
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 900 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 1V
Gate-Schwellenspannung min. = 0.45V
Verlustleistung max. = 250 mW
Gate-Source Spannung max. = ±7 V
Breite = 1.3mm
Höhe = 0.6mm

Dies ist ein 20-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET.Niedriger RDS(on) zur Verbesserung der Systemeffizienz Niedrige Schwellenspannung Kleine Abmessungen: 1,6 x 1,6 mm ESD-geschütztes Gate Anwendungen: Last-/Netzschalter Netzteil-Wandlerschaltungen Batteriemanagement

Produktangebot

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Lieferzeit ca. 2 TageZustand: Neu

Kennzeichnungen

Artikeltyp
MOSFET
GTIN
5059045246367