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onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal

Marke: onsemi

Hersteller Artikel-Nr.: FGH40T120SQDNL4

Produkt-Nr.: P-CC4RWX

Technische Daten

Abmessungen
15.8 x 5.2 x 22.74mm
Anzahl an Transistoren
1
Betriebstemperatur max.
+175 °CpF
Channel-Typ
P
Dauer-Kollektorstrom max.
160 A
Gate-Source Spannung max.
±30V
Gehäusegröße
TO-247
Kollektor-Emitter-Spannung
1200 V
Montage-Typ
THT
Pinanzahl
4

Produktbeschreibung

Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Betriebstemperatur max. = +175 °CpF

Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei Anwendungen Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen

Produktangebot

7,26 €

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Nicht vorrätigZustand: Neu

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Kennzeichnungen

Artikeltyp
IGBT
GTIN
5059045300373