onsemi IGBT / 160 A ±30V max. , 1200 V 454 W, 4-Pin TO-247 P-Kanal
Marke: onsemi
Hersteller Artikel-Nr.: FGH40T120SQDNL4
Produkt-Nr.: P-CC4RWX
Technische Daten
- Abmessungen
- 15.8 x 5.2 x 22.74mm
- Anzahl an Transistoren
- 1
- Betriebstemperatur max.
- +175 °CpF
- Channel-Typ
- P
- Dauer-Kollektorstrom max.
- 160 A
- Gate-Source Spannung max.
- ±30V
- Gehäusegröße
- TO-247
- Kollektor-Emitter-Spannung
- 1200 V
- Montage-Typ
- THT
- Pinanzahl
- 4
Produktbeschreibung
Dauer-Kollektorstrom max. = 160 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±30V
Anzahl an Transistoren = 1
Gehäusegröße = TO-247
Montage-Typ = THT
Channel-Typ = P
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 15.8 x 5.2 x 22.74mm
Betriebstemperatur max. = +175 °CpF
Dieser Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode (IGBT) ist mit der robusten und kostengünstigen Ultra-Feldsperren-Trench-Konstruktion ausgestattet und bietet überlegene Leistung bei anspruchsvollen Anwendungen dank niedriger Durchlassspannung und minimalen Schaltverlusten. IGBT sind optimal für UVS und Solar-Anwendungen geeignet. In das Gerät integriert ist eine weiche und schnelle Freilaufdiode mit niedriger Durchlassspannung.Extrem effizienter Trench mit Feldsperren-Technologie • TJmax = 175 °C • Diode mit weicher und schneller Umkehr-Erholungsladung • optimiert für hohe Schaltgeschwindigkeiten • Diese Geräte sind Pb-frei Anwendungen Solar-Wechselrichter, USV, Schweißen
Produktangebot
7,26 €
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Kennzeichnungen
- Artikeltyp
- IGBT
- GTIN
- 5059045300373